掌握ECC/壞區塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增

作者: 蒙敏雄 / 陳文榮
2015 年 12 月 10 日
NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區塊,或者好的區塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進行壞區塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統儲存效能。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

高效能/易設計特性 平均電流架構最佳化HBLED設計

2009 年 01 月 23 日

採用BroadR-Reach技術 車用乙太網路可靠度提升

2014 年 01 月 11 日

強化匯流排協定解碼功能 邏輯分析儀提升照明品質

2014 年 01 月 19 日

混合驅動為趨勢 48V實現汽車電氣化創新

2018 年 11 月 15 日

優化系統量測校正/簡化設計 穿戴裝置血氧量測更精準

2021 年 11 月 01 日

安全關鍵型系統設計眉角 SRAM故障檢測控管風險

2023 年 01 月 16 日
前一篇
攜手台灣合作夥伴 英特爾加速智慧聯網技術創新
下一篇
貿澤供貨歐司朗高亮度LED